电平移位LDMOS嵌于结终端中的集成电路芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种电平移位LDMOS嵌于结终端中的集成电路芯片，包括位于芯片外围的结终端，被所述结终端包围的高盆区域，以及设于所述结终端和高盆区域之间的自举电平区域；所述电平移位LDMOS嵌于所述结终端中，所述集成电路芯片还包括隔离环和金属互联线，所述电平移位LDMOS与结终端之间被所述隔离环隔离，所述金属互联线从电平移位LDMOS的漏极出发，跨过部分结终端、隔离环及高盆区域后连接至所述自举电平区域。本发明还涉及一种电平移位LDMOS嵌于结终端中的集成电路芯片的制造方法。本发明金属互联线上的电压较小，对其跨过的区域影响就较小，对耐压的影响也较小。另外将电平移位LDMOS嵌入高压结终端中，充分利用了高压结终端的面积，能够节省芯片面积。

主权项

一种电平移位LDMOS嵌于结终端中的集成电路芯片，包括位于芯片外围的结终端，被所述结终端包围的高盆区域，以及设于所述结终端和高盆区域之间的自举电平区域；其特征在于，所述电平移位LDMOS嵌于所述结终端中，所述集成电路芯片还包括隔离环和金属互联线，所述电平移位LDMOS与结终端之间被所述隔离环隔离，所述金属互联线从电平移位LDMOS的漏极出发，跨过部分结终端、隔离环及高盆区域后连接至所述自举电平区域。