| 发明名称 | 具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：在需返工的发光二极管LED外延片的正面匀一层光刻胶，所述需返工的LED外延片的背面设有分布式布拉格反射镜DBR膜层；采用反应等离子刻蚀RIE的方法去除所述DBR膜层，其中，刻蚀功率为400～700W，刻蚀压力为20～30mtorr，刻蚀温度为0～10℃，刻蚀厚度大于所述DBR膜层的厚度，刻蚀气体为50～80sccm的CHF<sub>3</sub>和O<sub>2</sub>；采用有机溶剂去除所述光刻胶；在去除所述光刻胶后的需返工的LED外延片的背面蒸镀DBR膜层。本发明通过采用RIE的方法去除在需返工的LED外延片的背面的DBR膜层，由于RIE的方法是采用气体刻蚀，因此避免了LED外延片因为研磨发生的破碎现象，避免带来的成本损失。 | ||
| 申请公布号 | CN104022206A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201410177932.3 | 申请日期 | 2014.04.29 |
| 申请人 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发明人 | 周武;胡根水 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/46(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 徐立 |
| 主权项 | 一种具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法，其特征在于，所述方法包括：在需返工的发光二极管LED外延片的正面匀一层光刻胶，所述需返工的LED外延片的背面设有分布式布拉格反射镜DBR膜层；采用反应等离子刻蚀RIE的方法去除所述DBR膜层，其中，刻蚀功率为400～700W，刻蚀压力为20～30mtorr，刻蚀温度为0～10℃，刻蚀厚度大于所述DBR膜层的厚度，刻蚀气体为50～80sccm的CHF<sub>3</sub>和O<sub>2</sub>；采用有机溶剂去除所述光刻胶；在去除所述光刻胶后的需返工的LED外延片的背面蒸镀DBR膜层。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路 | ||