| 发明名称 | 碳化硅半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅半导体器件(100)，其包括：绝缘膜(126)；碳化硅层(109)，该碳化硅层进一步包括被绝缘膜(126)覆盖的表面。该表面包括第一区域(R1)。第一区域(R1)至少部分地具有第一面取向。该第一面取向是(0-33-8)面、(30-3-8)面、(-330-8)面、(03-3-8)面、(-303-8)面和(3-30-8)面中的任何一个。 | ||
| 申请公布号 | CN104025300A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201280065718.8 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 岛津充;日吉透;和田圭司;增田健良 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体器件，包括：绝缘膜，以及碳化硅层，所述碳化硅层具有被所述绝缘膜覆盖的表面，所述表面包括第一区域，所述第一区域至少部分地具有第一面取向，所述第一面取向是(0‑33‑8)面、(30‑3‑8)面、(‑330‑8)面、(03‑3‑8)面、(‑303‑8)面和(3‑30‑8)面中的任何一个。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||