一种应用于非晶Si太阳能电池的ZnO：Al绒面薄膜

摘要

本发明公开了一种利用CH₃COONH₄溶液腐蚀制备的应用于非晶Si太阳能电池中的绒面ZnO：Al透明导电薄膜的方法。该类绒面ZnO：Al薄膜由磁控溅射方法制备，靶材由高纯度的ZnO粉末和Al₂O₃粉末按一定比例混合烧结而成，薄膜生长温度为400℃，溅射功率为200W，溅射时间为45min。其次利用CH₃COONH₄溶液腐蚀得到的表面具有陨石坑的绒面ZnO：Al薄膜，其中CH₃COONH₄溶液的浓度为0.5～7.0wt％，腐蚀时间为5～30min。最后利用等离子体化学气相沉积(PECVD)沉积太阳能电池的吸光层(pin-Si层)。本发明制备的绒面ZnO：Al薄膜具有制备方法简单，易于操作，并且可以作为很好的非晶Si太阳能电池中的散光层，有利于提高非晶Si太阳能电池的效率。

主权项

一种非晶Si太阳能电池，自下而上依次包括衬底(1)、透明导电薄膜(2)、p型非晶Si层(3)、i型非晶Si层(4)、n型非晶Si层(5)和电极(6)，其特征在于所述的透明导电薄膜(2)是表面分布有直径在50～400nm的陨石坑的绒面ZnO：Al透明导电薄膜。