| 发明名称 | 一种采用金属吸收层的有机光电器件 | ||
| 摘要 | 本发明属于有机光电器件技术领域，具体为一种采用金属吸收层的有机光电器件。本发明在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm。本发明发现并证实金属材料的光吸收能够促进有机光电器件中载流子的产生，从而填补了传统有机光电器件领域的一个认识盲区，为有机光电器件的性能改善开辟了新的途径。 | ||
| 申请公布号 | CN102142522B | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201110000184.8 | 申请日期 | 2011.01.04 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 侯晓远;武博;孙晓宇;李文彬;孙正义;丁训民 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种有机光电器件，其特征在于，在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm；所述原有的有机光电器件结构为ITO/CuPc/C60/Al异质结结构，在CuPc和C60之间插入金属吸收层Al；所述原有的有机光电器件的阴极材料Al替换为功函数更低的金属Li或Mg:Ag。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||