| 发明名称 | 基材的等离子体处理 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于等离子体处理基材的设备，包括：与设置在电介质外壳(14)内的通道(16)内的至少一个针电极(11)相连接的频率为3kHz至30kHz的高压电源，所述电介质外壳具有处理气体的进气口和出气口。所述通道(16)具有形成处理气体的所述进气口的入口(16a)以及进入所述电介质外壳的出口(16e)，其布置为使得处理气体从所述进气口穿过所述通道(16)经过所述电极(11)流到所述电介质外壳的所述出气口。所述设备包括用于将雾化的表面处理剂引入所述电介质外壳的装置，以及邻近所述电介质外壳的所述出气口的所述基材(25)的支撑装置(27,28)。所述针电极(11)从所述通道入口(16a)延伸至靠近所述通道的所述出口(16e)的顶端(11t)，并从所述通道(16)向外突出，使得所述针电极的所述顶端(11t)设置于所述电介质外壳内并靠近所述通道的所述出口(16e)，在所述通道外至少0.5mm最多至所述通道的所述水力直径5倍的距离处。所述通道(16)的长度与水力直径的比率大于10:1。 | ||
| 申请公布号 | CN104025719A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201280044070.6 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 道康宁法国公司;国家科学研究中心 | 发明人 | 弗朗索瓦丝·马辛内斯;托马斯·高迪;皮埃尔·德斯坎普斯;帕特里克·里姆波尔;文森特·凯撒;赛义德·萨尔曼·阿萨德 |
| 分类号 | H05H1/00(2006.01)I;H05H1/42(2006.01)I;H05H1/48(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 牟静芳;郑霞 |
| 主权项 | 一种用于等离子体处理基材的设备，包括：与设置在电介质外壳(14)内的通道(16)内的至少一个针电极(11)相连接的高压电源，所述电介质外壳具有处理气体的进气口和出气口，所述通道具有形成处理气体的所述进气口的入口(16a)以及进入所述电介质外壳(14)的出口(16e)，其布置为使得处理气体从所述入口穿过所述通道(16)经过所述电极(11)流到所述电介质外壳(14)的所述出气口；将雾化的表面处理剂引入所述电介质外壳(14)的装置；以及邻近所述电介质外壳(14)的所述出气口的所述基材(25)的支撑装置(27,28)，其特征在于所述针电极(11)从所述通道入口(16a)延伸至靠近所述通道(16)的所述出口(16e)的顶端(111)，并从所述通道(16)向外突出，使得所述针电极(11)的所述顶端(11t)设置于所述电介质外壳内并靠近所述通道(16)的所述出口(16e)，在所述通道(16)外至少0.5mm最多至所述通道的所述水力直径5倍的距离处，并且所述通道(16)的长度与水力直径的比率为至少10:1。 | ||
| 地址 | 法国维勒班 | ||