发明名称 MEMS结构及其形成方法
摘要 一种集成电路器件包括第一层,该第一层包含至少两个局部腔;接合至第一层的中间层,该中间层形成用于支撑至少两个微电子机械系统(MEMS)器件;以及接合至中间层的第二层,该第二层包含用于通过中间层使第一层的至少两个局部腔完整的至少两个部分层,从而形成至少两个密封的完整腔。在该至少两个完整腔内的压力不同。本发明还提供了一种MEMS结构及其形成方法。
申请公布号 CN104016298A 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201310221687.7 申请日期 2013.06.05
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 程世伟;翁睿均;许希丞;王志佑;杜荣国;朱则荣;徐于庭
分类号 B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/02(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种集成电路器件,包括:第一层,包含至少两个局部腔;中间层,接合至所述第一层,所述中间层包含与所述第一层的至少两个局部腔基本对准的至少两个通孔;以及第二层,接合至所述中间层,所述第二层包含与所述至少两个通孔基本对准的至少两个局部腔,以形成密封的至少两个完整腔,所述至少两个完整腔包含所述第一层的至少两个局部腔和所述第二层的至少两个局部腔,其中,所述至少两个完整腔内的压力不同。
地址 中国台湾新竹