| 发明名称 | 用于电压控制的半导体开关的保护装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于电压控制的半导体开关(10)的保护装置(30)，该半导体开关具有栅极接头(G10)、功率发射极接头(L10)、辅助发射极接头(H10)和集电极接头(K10)，其中半导体开关(10)能够接通在集电极接头(K10)和功率发射极接头(L10)之间的电流。按照本发明设置：电压限制装置(40)，该电压限制装置限制在栅极接头(G10)和功率发射极接头(L10)之间的电压；和与电压限制装置(40)相连的禁止装置(50)，该禁止装置在半导体开关(10)接通期间禁止电压限制装置(40)。 | ||
| 申请公布号 | CN104025455A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201180076186.3 | 申请日期 | 2011.11.07 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | H-G.埃克尔;S.皮尔斯托夫 |
| 分类号 | H03K17/0812(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/0812(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 谢强 |
| 主权项 | 一种用于电压控制的半导体开关(10)的保护装置(30)，该半导体开关具有栅极接头(G10)、功率发射极接头(L10)、辅助发射极接头(H10)和集电极接头(K10)，其中所述半导体开关(10)能够接通在集电极接头(K10)和功率发射极接头(L10)之间的电流，其特征在于‑电压限制装置(40)，所述电压限制装置限制在栅极接头(G10)和功率发射极接头(L10)之间的电压，和‑与所述电压限制装置(40)相连的禁止装置(50)，所述禁止装置在半导体开关(10)接通期间禁止所述电压限制装置(40)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||