| 发明名称 |
相变存储结构 |
| 摘要 |
本申请公开了一种相变存储结构，包括：下电极层；形成于所述下电极层上的绝热层，所述绝热层的上开设有沟槽；相变材料层，覆盖于所述沟槽的内壁表面，且所述相变材料层围成一容纳空间；上电极，填充于所述容纳空间内；下加热电极，连接于所述下电极层和相变材料层的底部之间；侧加热电极，连接于所述相变材料层的外侧壁；顶电极，连接于所述侧加热电极。本实用新型的相变存储单元中，引入了侧加热电极，与传统具有单一的下加热电极相比，本实用新型能够有效提高器件的存储密度，满足相变存储器的应用需求。 |
| 申请公布号 |
CN203812919U |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
| 申请号 |
CN201420155621.2 |
申请日期 |
2014.04.02 |
| 申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
孔涛;卫芬芬;黄荣;张杰;程国胜 |
| 分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种相变存储结构，其特征在于，包括：下电极层；形成于所述下电极层上的绝热层，所述绝热层的上开设有沟槽；相变材料层，覆盖于所述沟槽的内壁表面，且所述相变材料层围成一容纳空间；上电极，填充于所述容纳空间内；下加热电极，连接于所述下电极层和相变材料层的底部之间；侧加热电极，连接于所述相变材料层的外侧壁；顶电极，连接于所述侧加热电极。 |
| 地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |
