| 发明名称 | SrRuO<sub>3</sub>膜的沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SrRuO<sub>3</sub>膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO<sub>3</sub>膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO<sub>3</sub>膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO<sub>3</sub>膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO<sub>3</sub>膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104024467A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201280063746.6 | 申请日期 | 2012.12.17 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 醍醐佳明;石桥启次 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种SrRuO<sub>3</sub>膜的沉积方法，所述方法通过偏移旋转沉积型DC磁控溅射法沉积SrRuO<sub>3</sub>膜，所述方法包含：在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO<sub>3</sub>膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||