| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的之一是提供一种具有新的结构的半导体装置，其中，在数据存储时间中即使没有电力供给也能够存储存储内容并且对写入次数也没有限制。该半导体装置包括：包括第一源电极以及第一漏电极、与第一源电极以及第一漏电极电连接且使用氧化物半导体材料的第一沟道形成区域、第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层以及第一栅极绝缘层上的第一栅电极的第一晶体管。第一晶体管的第一源电极和第一漏电极之一与电容器的一个电极彼此电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN104022115A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201410108335.5 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;加藤清 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨美灵;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一晶体管，包括包含沟道形成区域的氧化物半导体层；第二晶体管，包括包含沟道形成区域的氧化物半导体层；以及电容器，包括第一电极和第二电极，其中，所述第一晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述第二晶体管的栅电极以及所述电容器的第一电极和第二电极之一。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||