互连结构的制造方法

摘要

一种互连结构的制造方法，包括：提供插塞；在所述插塞上依次形成阻挡层、低K介质层、硬掩膜低K介质层、氧化层、硬掩膜层和光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜蚀刻所述硬掩膜层，形成位于硬掩膜层中、且位于插塞上的开口；去除光刻胶图形，依次蚀刻所述开口露出的氧化层、硬掩膜低K介质层、低K介质层，直至露出所述阻挡层；去除所述硬掩膜层，所述去除工艺相对于氧化层和硬掩膜低K介质层，对硬掩膜层具有较大的选择比；进行清洗；向所述开口中填充导电材料。本发明提供的互连结构的制造方法可提高良率。

主权项

一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供插塞；在所述插塞上依次形成阻挡层、低K介质层、硬掩膜低K介质层、氧化层、硬掩膜层和光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜蚀刻所述硬掩膜层，形成位于硬掩膜层中、且位于插塞上的开口；去除光刻胶图形，依次蚀刻所述开口露出的氧化层、硬掩膜低K介质层、低K介质层，直至露出所述阻挡层；去除所述硬掩膜层,所述去除工艺相对于氧化层和硬掩膜低K介质层，对硬掩膜层具有较大的选择比；向所述开口中填充导电材料；其中，所述硬掩膜的材料为氮化钛，所述氧化层的材料为正硅酸乙酯，所述去除所述硬掩膜层的步骤包括：通过氯气等离子体去除所述硬掩膜层。