| 发明名称 | 双极结型晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种双极结型晶体管，包括：衬底，所述衬底具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；发射极区，位于所述衬底中，所述发射极区面向所述第一面；集电极区，位于所述衬底中，并至少围绕所述发射极的相邻两面，所述集电极区面向所述第一面；以及基极区，位于所述衬底中，并位于所述发射极区与集电极区之间，所述基极区面向所述第一面，所述基极区至少具有一导通所述发射极区与集电极区的基极区开口。在本实用新型提供的双极结型晶体管中，所述基极区开口的设置使得所述发射极区与集电极区之间的距离更近，使得所述发射极区与集电极区之间导通更容易，有利于降低所述发射极区与集电极区的导通电压，并有利于节约面积。 | ||
| 申请公布号 | CN203812885U | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201420234777.X | 申请日期 | 2014.05.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 甘正浩 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种双极结型晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；发射极区，位于所述衬底中，所述发射极区面向所述第一面；集电极区，位于所述衬底中，并至少围绕所述发射极区的相邻两面，所述集电极区面向所述第一面；以及基极区，位于所述衬底中，并位于所述发射极区与集电极区之间，所述基极区面向所述第一面，所述基极区至少具有一导通所述发射极区与集电极区的基极区开口；其中，所述衬底和基极区均为第一导电类型掺杂，所述发射极区和集电极区均为第二导电类型掺杂。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||