| 发明名称 | 一种促进植物生长用近紫外发光二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种促进植物生长用近紫外发光二极管，包括底座、近紫外发光二极管芯片、内封装层和外封装层，所述近紫外发光二极管芯片的底部安装在底座上，所述近紫外发光二极管芯片上覆盖有内封装层，所述内封装层上覆盖有外封装层。本实用新型的一种促进植物生长用近紫外发光二极管最终使二极管的发光均匀柔和，提高了植物的生长效率。 | ||
| 申请公布号 | CN203812904U | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201320771642.2 | 申请日期 | 2013.11.30 |
| 申请人 | 中山达华智能科技股份有限公司 | 发明人 | 赵文强;闭伟焕;李绍荣;于军胜 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种促进植物生长用近紫外发光二极管，其特征在于包括底座、近紫外发光二极管芯片、内封装层和外封装层，所述近紫外发光二极管芯片的底部安装在底座上，所述近紫外发光二极管芯片上覆盖有内封装层，所述内封装层上覆盖有外封装层；所述内封装层内掺有稀土蓝色荧光粉，所述外封装层内掺有稀土红色荧光粉。 | ||
| 地址 | 528415 广东省中山市小榄镇泰丰工业区水怡南路9号 | ||