| 发明名称 | 一种晶体硅太阳能电池减反膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池减反膜，依次包括设于硅片衬底上的非晶硅膜层、设于非晶硅膜层上的第一富硅氮化硅膜层、设于第一富硅氮化硅膜层上的第二富硅氮化硅膜层；所述晶体硅太阳能电池减反膜的总厚度为78~92nm，其综合折射率为2.0~2.20。本实用新型设计得到了一种新的减反膜结构，实验证明，该减反射膜可以明显降低电池片表面对光的反射，增加硅片光的吸收，同时具有很好的钝化效果，提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN203812887U | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201320849794.X | 申请日期 | 2013.12.20 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 发明人 | 张春华;李栋;高文丽;孟祥熙;许涛 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳能电池减反膜，其特征在于：依次包括设于硅片衬底上的非晶硅膜层(1)、设于非晶硅膜层上的第一富硅氮化硅膜层(2)、设于第一富硅氮化硅膜层上的第二富硅氮化硅膜层(3)；所述晶体硅太阳能电池减反膜的总厚度为78~92 nm，其综合折射率为2.0~2.20。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||