发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管,所述发光二极管被构造为防止由于形成电极或电极焊盘而导致的发光面积减小。发光二极管包括:下半导体层,形成在基底上;上半导体层,设置在下半导体层之上,以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分;第一电极,形成在上半导体层的区域上,绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间,以将电流供应到下半导体层;第二电极,形成在上半导体层的另一区域上,以将电流供应到上半导体层;第一电极的延伸部分,从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分。 |
申请公布号 |
CN102110754B |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201010623389.7 |
申请日期 |
2010.12.28 |
申请人 |
首尔伟傲世有限公司 |
发明人 |
尹余镇;徐源哲 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星;王青芝 |
主权项 |
一种发光二极管,所述发光二极管包括:下半导体层,形成在基底上;上半导体层,设置在下半导体层之上,以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分;透明电极层,在上半导体层上,第一电极,形成在上半导体层的区域上,绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间,以将电流供应到下半导体层;第二电极,形成在上半导体层的另一区域上,以将电流供应到上半导体层;第一电极的延伸部分,从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分;其中,第二电极的一部分被形成为与上半导体层接触,第二电极的其他部分被形成为与透明电极层接触。 |
地址 |
韩国京畿道安山市 |