发明名称 |
薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜,具有:真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体,该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a),并且,该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。 |
申请公布号 |
CN102187010B |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN200980140705.0 |
申请日期 |
2009.10.14 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 |
代理人 |
韩登营 |
主权项 |
一种薄膜形成方法,其特征在于,将具有被处理面的基板配置在真空槽内,产生用于轰击溅射靶的等离子体,使所述溅射靶的溅射区域在不与所述被处理面相正对着的第1位置以及与所述被处理面相正对着的第2位置间移动,在所述溅射区域位于所述第1位置时,所述被处理面仅承受来自于溅射区域的斜向入射的溅射粒子,在所述溅射区域位于所述第2位置时,由所述被处理面的、被斜向入射的溅射粒子入射后的区域承受来自于所述溅射区域的垂直入射的溅射粒子。 |
地址 |
日本神奈川县 |