用于形成硬掩模的组合物、利用其形成图案的方法以及包括所述图案的半导体集成电路装置

摘要

本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物，其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物，一种利用其形成图案的方法，以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。

主权项

一种用于硬掩模的组合物，包括：共聚物，包括由以下化学式1和2表示的重复单元；和溶剂，[化学式1][化学式2]其中，在化学式1和2中，R¹是取代的或未取代的C1至C20亚烷基、取代的或未取代的C2至C20亚烯基、取代的或未取代的C2至C20亚炔基、或取代的或未取代的C6至C30亚芳基，R²至R⁴、R⁵至R¹⁴、R¹⁸和R¹⁹独立地为氢、羟基、氨基、硫醇基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C2至C20烯基、取代的或未取代的C2至C20炔基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C3至C20环烷基、取代的或未取代的C3至C20环烯基、取代的或未取代的C3至C20环炔基、取代的或未取代的C2至C20杂环烷基、取代的或未取代的C2至C20杂环烯基、取代的或未取代的C2至C20杂环炔基、或取代的或未取代的C6至C30芳基，条件是R⁵至R¹⁴中至少一个是羟基、氨基、或硫醇基，以及，R¹⁸和R¹⁹分别包括至少一个羟基，R¹⁵和R¹⁶独立地为取代的或未取代的C6至C30亚芳基，R²⁰至R²⁵独立地为取代的或未取代的C1至C20亚烷基、取代的或未取代的C2至C20亚烯基、取代的或未取代的C2至C20亚炔基、或取代的或未取代的C6至C30亚芳基，n²至n⁴独立地为0≤n²≤2、0≤n³≤3和0≤n⁴≤4，n⁵和n⁶是范围从1到10的整数，n⁷至n¹⁰是范围从0到10的整数，x+y＝1，0≤x≤1，和0≤y≤1，n和m独立地为范围从1到200的整数，以及^*2和^*3彼此连接，以及^*1和^*4彼此连接。