| 发明名称 | 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法。钙钛矿基薄膜太阳电池包括：透明衬底；在所述透明衬底上形成的透明导电层；在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的且为半导体材料的多孔支架层，所述多孔支架层内部的孔隙中填充有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料；由所述有机金属半导体吸光材料在所述多孔支架层上形成的加盖层；以及在所述加盖层上形成的且为导电碳材料的对电极层。本发明采用碳材料作为对电极材料，在性能相当的情况下，其成本远远低于用蒸镀的方法制备的贵金属对电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104022222A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201410204091.0 | 申请日期 | 2014.05.14 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 孟庆波;杨月勇;肖俊彦;卫会云;李冬梅;罗艳红;吴会觉 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 范晓斌;郭海彬 |
| 主权项 | 一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：透明衬底；在所述透明衬底上形成的透明导电层；在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的且为半导体材料的多孔支架层，所述多孔支架层内部的孔隙中填充有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料；由所述有机金属半导体吸光材料在所述多孔支架层上形成的加盖层；以及在所述加盖层上形成的且为导电碳材料的对电极层。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||