发明名称 |
形成太阳能电池的缓冲层的方法和由此形成的太阳能电池 |
摘要 |
本发明公开了形成太阳能电池的缓冲层的方法和由此形成的太阳能电池,其中一种制造光伏器件的缓冲层的方法包括:提供衬底,该衬底具有设置在衬底上方的背接触层和设置在背接触层上方的吸收层;在吸收层上沉积金属层;以及在包括硫、硒或氧的环境中对沉积的金属层实施热处理以形成缓冲层。 |
申请公布号 |
CN104022179A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201310217778.3 |
申请日期 |
2013.06.03 |
申请人 |
台积太阳能股份有限公司 |
发明人 |
陈世伟 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种制造光伏器件的缓冲层的方法,包括:提供衬底,所述衬底具有设置在所述衬底上方的背接触层和设置在所述背接触层上方的吸收层;在所述吸收层上沉积金属层;以及在包括硫、硒或氧的环境中对沉积的所述金属层实施热处理以形成缓冲层。 |
地址 |
中国台湾台中 |