| 发明名称 | 一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。本实用新型的坩埚壁与坩埚底盖可拆分，在晶体生长结束后，可以将坩埚底盖和坩埚壁很容易的分拆，不受底部沉积的晶体的影响，提高坩埚利用率，使清理坩埚工作得以简化。 | ||
| 申请公布号 | CN203807591U | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201320738809.5 | 申请日期 | 2013.11.20 |
| 申请人 | 河北同光晶体有限公司 | 发明人 | 高宇;邓树军;段聪;赵梅玉;陶莹 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，其特征在于：包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。 | ||
| 地址 | 071000 河北省保定市北二环5699号大学科技园6号楼B座四楼A007 | ||