| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区、体区、栅电极和层间电介质；以及布置在层间电介质上的源极金属化层。所述半导体器件还包括填满穿过源区和体区以及源极金属化层之间的层间电介质形成的接触孔的插塞，以便电连接所述源区和体区以及所述源极金属化层。 | ||
| 申请公布号 | CN203812886U | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201320675366.X | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | A.毛德;U.瓦尔 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区、体区、栅电极和层间电介质；以及布置在层间电介质上的源极金属化层，其特征在于，所述半导体器件还包括填满穿过源区和体区以及源极金属化层之间的层间电介质形成的接触孔的插塞，以便电连接所述源区和体区以及所述源极金属化层。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||