发明名称 一种N型背结太阳能电池
摘要 本实用新型公开了一种N型背结太阳能电池,包括N型硅片衬底,N型硅片衬底的前表面设有绒面结构,绒面结构上具有N+区,N+区上设有减反射膜层;减反射膜层上设有正面电极;所述N型硅片衬底的背表面上设有P+区,P+区上依次设有硼硅玻璃钝化层、阻挡层和铝背电极;所述N型硅片衬底的背表面上还设有点接触开口,使所述铝背电极穿过所述硼硅玻璃钝化层和阻挡层与P+区电连接;所述硼硅玻璃钝化层的厚度为20~100纳米。本实用新型制在N型硅片衬底背表面的P+区上依次设有硼硅玻璃层、阻挡层和铝背电极,将硼硅玻璃层作为钝化层,不需要再次高温形成氧化层或沉积氧化铝,从而大大简化了工艺步骤。
申请公布号 CN203812893U 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201420182717.8 申请日期 2014.04.15
申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 发明人 刘运宇;王栩生;章灵军
分类号 H01L31/042(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2014.01)I
代理机构 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人 陆金星
主权项 一种N型背结太阳能电池,包括N型硅片衬底(1),N型硅片衬底的前表面设有绒面结构,绒面结构上具有N+区(2),N+区上设有减反射膜层(3);减反射膜层上设有正面电极(4);其特征在于:所述N型硅片衬底的背表面上设有P+区(5),P+区上依次设有硼硅玻璃钝化层(6)、阻挡层(7)和铝背电极(8);所述N型硅片衬底的背表面上还设有点接触开口,使所述铝背电极穿过所述硼硅玻璃钝化层和阻挡层与P+区电连接;所述硼硅玻璃钝化层的厚度为20~100纳米。
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