发明名称 一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器
摘要 本发明公开一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器,二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R、电容C;二极管D1负极端与二极管D2负极端相连,记作e端;二极管D2正极端与二极管D3负极端相连,记作f端;二极管D3正极端与二极管D4正极端相连,记作g端;二极管D4负极端与二极管D1正极端相连,记作h端;h端、f端分别与电容C2的正、负极端相连;电阻R的正、负极端分别与电容C的正、负极端相连;通过用结构简单且有双端输入特性优点的二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻等效电路替换规范式蔡氏电路中的蔡氏二极管,通过调节系统参数即可产生多种混沌现象。
申请公布号 CN104022864A 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201410243140.1 申请日期 2014.06.04
申请人 常州大学 发明人 包伯成;于晶晶;胡丰伟;姜盼;王春丽
分类号 H04L9/00(2006.01)I;H03K3/84(2006.01)I 主分类号 H04L9/00(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼高潮
主权项 一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器,其特征是:包括:负阻G、电容<img file="2014102431401100001dest_path_image002.GIF" wi="14" he="15" />、电容<img file="2014102431401100001dest_path_image004.GIF" wi="15" he="15" />、电感L、二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M,负阻G正、负极端分别与电容<img file="dest_path_image002a.GIF" wi="14" he="15" />的正、负极端相连,分别记做a、b端;二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M的正、负极端分别与电容<img file="dest_path_image004a.GIF" wi="15" he="15" />的正、负极端相连,并分别记做c、d端;电感L的正极端、负极端分别连接电容<img file="dest_path_image002aa.GIF" wi="14" he="15" />的正极端、电容<img file="dest_path_image004aa.GIF" wi="15" he="15" />的正极端。
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