叠层体的制造方法

摘要

本发明提供新的在蓝宝石基板上生长III族极性的生长方法。利用有机金属气相生长法，制作在蓝宝石基板上叠层含Al量多的III族氮化物构成的单晶层的叠层体的制造方法，包含与使该III族氮化物单晶生长用的原料气体一起，将氧源气体向蓝宝石基板上提供，使含氧浓度为1×10²⁰cm^-3以上5×10²¹cm^-3以下的初期单晶层以15nm以上40nm以下的厚度形成的第一生长工序、以及对该初期单晶层上提供该原来气体而不提供氧源气体，或在提供该原料气体的同时，提供比第1生长工序少的氧源气体，以形成比初期单晶层氧浓度低的第二III族氮化物单晶层的第二生长工序。

主权项

一种叠层体的制造方法，是利用有机金属气相生长法，制造在蓝宝石基板上叠层满足Al_ＸGa_ＹIn_ＺN表示的组成的III族氮化物构成的单晶层的叠层体的制造方法，其中，Ｘ、Ｙ、以及Ｚ分别为满足0.9≤Ｘ≤1.0、0.0≤Ｙ≤0.1、0.0≤Ｚ≤0.1的有理数，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝1.0，其特征在于，包含下述工序，即与使该III族氮化物单晶生长用的原料气体、即III族原料气体、以及氮源气体一起，将氧源气体向蓝宝石基板上提供，以此使含氧浓度为5×10²⁰cm^－3以上4×10²¹cm^－3以下的，满足所述组成的III族氮化物构成的初期单晶层在该蓝宝石基板上生长15nm以上40nm以下厚度的第一生长工序、以及向该初期单晶层上提供该原料气体，而不提供氧源气体，或提供该原料气体，同时提供比第一生长工序少的供给量的氧源气体，使比初期单晶层氧浓度低的，满足所述组成的III族氮化物构成的第二III族氮化物单晶层生长的第二生长工序。