| 发明名称 | 钽溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钼作为必要成分，并且除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上。上述钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的铌，并且除钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明可以得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN104018127A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201410193174.4 | 申请日期 | 2010.08.04 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 福岛笃志;小田国博;仙田真一郎 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C27/02(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I;C22F1/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钼作为必要成分，除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上，并且靶中的钼含量的偏差为±20％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||