显示器件的阵列基板及其制备方法

摘要

本发明涉及显示器件的结构及其制备领域，尤其涉及一种显示器件的阵列基板及其制备方法，通过对传统CMOS工艺制程的改善，并利用ITO/Ag/ITO本身阻抗较低的特性，将传统的9道光罩工艺的CMOS工艺减少为7道光罩工艺，简化制造工艺步骤，提高产量的同时，还保持了传统9道光罩工艺具有的高设计冗余量、低功耗及制程和设计难度低等优点。

主权项

一种显示器件的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：一设置有源/漏区和沟道区的衬底结构；一氧化物层覆盖所述衬底结构的表面，且在位于所述沟道区上方的该氧化物层的表面还设置有栅电极；一复合层覆盖所述氧化物层暴露的表面及所属栅电极的上表面及其侧壁；所述复合层的上表面从下至上顺序还设置有平坦层和像素定义层；上端部位于所述像素定义层中的数据线和像素电极均依次贯穿所述平坦化层、所述复合层和所述氧化物层分别与一所述源/漏区的上表面接触。