| 发明名称 | 一种MoS<sub>2</sub>薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MoS<sub>2</sub>薄膜晶体管，其特征是由下层的基底层、中间的沟道层和上层的栅介质层构成，所述沟道层是单层MoS<sub>2</sub>薄膜，所述基底层由特定厚度SiO<sub>2</sub>构成，所述栅介质层为特定厚度HfO<sub>2</sub>层。本发明可通过改变基底层和栅介质层的厚度来增加晶体管的透射率，从而得到超高光透射率MoS<sub>2</sub>薄膜晶体管，从而增加薄膜晶体管液晶显示器中像素的开口率，提高显示质量，降低功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN104022158A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201410227041.4 | 申请日期 | 2014.05.27 |
| 申请人 | 南昌大学 | 发明人 | 杨方方;刘江涛;刘念华 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人 | 刘凌峰 |
| 主权项 | 一种MoS<sub>2</sub>薄膜晶体管，由SiO<sub>2</sub>层作为下层基底层、MoS<sub>2</sub>薄膜作为中间的沟道层和HfO<sub>2</sub>层作为上层栅介质层而构成，SiO<sub>2</sub> 层的折射率为<img file="2014102270414100001dest_path_image002.GIF" wi="16" he="21" />， HfO<sub>2</sub>层的折射率<img file="2014102270414100001dest_path_image004.GIF" wi="18" he="26" />，其特征是SiO<sub>2</sub> 层厚度<img file="2014102270414100001dest_path_image006.GIF" wi="97" he="23" />，HfO<sub>2</sub>层的厚度<img file="2014102270414100001dest_path_image008.GIF" wi="94" he="26" />，其中<img file="2014102270414100001dest_path_image010.GIF" wi="11" he="17" />为透射光的波长，l和m为正整数。 | ||
| 地址 | 330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||