一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种GaN基发光二极管芯片，包括由下而上设置的n型GaN层、量子阱层、p型GaN层和透明导电层；在所述透明导电层和n型GaN层上分别设置有金属电极；在所述p型GaN层上、且与金属电极相对的位置设置有等离子体轰击区域。本发明还涉及一种上述GaN基发光二极管芯片的制备方法。本发明所述GaN基发光二极管芯片，通过选择性的对p型金属电极下方对应的p型GaN层表面上进行等离子体轰击形成等离子体轰击区域，使该区域p型GaN层与上面的ITO透明导电膜之间无法形成欧姆接触区域，从而起到电流扩展的目的。本发明所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法步骤简单、成本低，适合批量化生产。

主权项

一种GaN基发光二极管芯片，包括由下而上设置的n型GaN层、量子阱层、p型GaN层和透明导电层；在所述透明导电层和n型GaN层上分别设置有金属电极；其特征在于，在所述p型GaN层上、且与金属电极相对的位置设置有等离子体轰击区域。