发明名称 暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料的制备方法。在室温条件下,向0.02mmol高锰酸钾溶液中滴加0.02mmol醛类物质,反应物摩尔比为1:1,滴加完毕后继续搅拌12-24h,抽滤、水洗、无水乙醇洗,所得产品于马弗炉500℃-600℃焙烧4-6h,得到暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料。该方法设备简单,成本低廉,无环境污染,反应条件温和,易于大规模生产。所制备的催化剂材料对邻二甲苯表现出较好的低温活性,可在200℃-230℃时,将邻二甲苯完全转化为CO<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O。该类材料还可以在吸附、催化、分子筛和电极材料等领域具有重要的应用价值。
申请公布号 CN104016413A 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201410260220.8 申请日期 2014.06.12
申请人 河北师范大学 发明人 吴银素;郭琳琳;刘肖肖
分类号 C01G45/02(2006.01)I;B01J29/03(2006.01)I;B01D53/86(2006.01)I;B01D53/72(2006.01)I 主分类号 C01G45/02(2006.01)I
代理机构 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 代理人 董金国
主权项 一种暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS‑2纳米材料的制备方法,其特征在于:在室温条件下,向0.02mmol高锰酸钾溶液中滴加0.02mmol醛类物质,反应物摩尔比为1:1,滴加完毕后继续搅拌12‑24h,抽滤、水洗、无水乙醇洗,所得产品于马弗炉中以1℃/min的升温速率升至400℃‑600℃,焙烧4‑6h,得到暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS‑2纳米材料。
地址 050024 河北省石家庄市南二环东路20号