薄晶片处理的多粘合层

摘要

本发明涉及薄晶片处理的多粘合层。提供一种临时地结合半导体衬底的多粘合层方案。在该创新性粘合方案中，多个层中的至少一个层直接与半导体衬底接触并且该方案中的至少两个层直接彼此接触。本发明提供若干加工选择，因为多层结构中的不同层执行具体功能。更重要地，通过提供更高的温度稳定性、与粗糙背侧加工步骤更大的兼容性、通过封装对晶片前侧凸起的保护、在脱粘步骤中更低的应力和前侧更少的缺陷来提高薄晶片处理方案的性能。

主权项

一种临时粘合方法，包括： 将剥离层施加到第一衬底的器件表面；在剥离层上形成粘合层；将第二衬底粘合到粘合层以形成粘合的叠层。