发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
在分裂栅极构造的MONOS型存储器单元中,防止在选择栅电极与存储器栅电极之间引起短路,而使半导体装置的可靠性提高。在具有相互邻接并在第1方向上延伸的选择栅电极(CG1)以及存储器栅电极(MG1)的MONOS存储器中,通过帽绝缘膜(CA1)覆盖第1方向中的选择栅电极(CG1)的端部的分流部(CS1)以外的区域的选择栅电极(CG1)的上表面。存储器栅电极(MG1)相对从帽绝缘膜(CA1)露出的分流部(CS1)的上表面、与帽绝缘膜(CA1)的边界,在帽绝缘膜(CA1)侧终止。 |
申请公布号 |
CN104022114A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201410067784.X |
申请日期 |
2014.02.27 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
鸟羽功一;茶木原启;川岛祥之 |
分类号 |
H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
孙蕾 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具有:第1层叠膜,隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上,由在沿着所述半导体基板的主面的第1方向上延伸的、第1选择栅电极以及所述第1选择栅电极上的第1帽绝缘膜构成;第1存储器栅电极,隔着包括第1电荷积蓄层的第2栅极绝缘膜而与所述第1选择栅电极的在所述第1方向上延伸的第1侧壁的相反侧的第2侧壁邻接,所述第1存储器栅电极在所述第1方向上延伸;第1供电部,是所述第1方向中的所述第1选择栅电极的端部,在平面视图中所述第1供电部从所述第1帽绝缘膜露出;以及第1栓,与所述第1供电部的上表面连接,所述第1存储器栅电极相比于平面视图中的所述第1供电部以及所述第1帽绝缘膜之间的边界更靠所述第1帽绝缘膜侧终止。 |
地址 |
日本神奈川 |