| 发明名称 | 浅槽的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种浅槽的形成方法，所述浅槽的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有自下至上依次层叠的栅极层和掩膜层；选择性去除所述掩膜层，以形成掩膜图形；对所述栅极层进行刻蚀，以形成栅极；在所述栅极的侧壁形成一保护层；以及对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成浅槽。在本发明提供的浅槽的形成方法，能够使得栅极具有光滑、平整的侧壁，从而保证栅极的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104022063A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201310066219.7 | 申请日期 | 2013.03.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张翼英 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种浅槽的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有自下至上依次层叠的栅极层和掩膜层；选择性去除所述掩膜层，以形成掩膜图形；对所述栅极层进行刻蚀，以形成栅极；在所述栅极的侧壁形成一保护层；以及对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成浅槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||