GaN基发光二极管的外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、生长在衬底上的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、复合层和P型氮化镓层，复合层包括多个周期，每个周期中的复合层包括插入层和电子阻挡层，从多量子阱层一侧开始，插入层和电子阻挡层依次层叠布置，插入层为Al元素掺杂的氧化锌层。本发明通过Al元素掺杂的ZnO插入层成为载流子的蓄积层，蓄积后的载流子迅速在二维平面内铺展，增强抗静电击穿能力，电子阻挡层可以有效地阻挡电子溢流，且ZnO与多量子阱层中的采用GaN层的量子垒层的晶格失配比较小，可有效避免晶格失配缺陷，有利于提高载流子的注入效率，进而增强发光二极管的发光效率。

主权项

一种GaN基发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、生长在所述衬底上的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述多量子阱层为超晶格结构，所述超晶格结构包括交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，所述外延片还包括：生长在所述多量子阱层和所述P型氮化镓层之间的复合层，所述复合层包括多个周期，每个所述周期中的所述复合层包括插入层和电子阻挡层，从所述多量子阱层一侧开始，所述插入层和所述电子阻挡层依次层叠布置，所述插入层为Al元素掺杂的氧化锌层。