发明名称 一种霍山石斛的组织培养方法
摘要 本发明涉及到一种霍山石斛的组织培养方法,将带侧芽的霍山石斛茎段用清洗干净后,经一定的消毒程序之后,转移到无菌操作台上去除叶片及膜质叶鞘,进一步消毒处理后放置在无菌的培养皿中;将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中,进行幼芽的诱导和增殖;将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上,培养温度25℃,光照强度2000lx,光照时间12h/d条件下培养,获得生长状况良好的培苗,经过炼苗、栽种后,植株的成活率达到90%以上,这表明通过组织培养,建立无性快速繁殖体系,提高繁殖系数,能达到短裙内获得大量霍山石斛培苗的目的。
申请公布号 CN104012400A 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201310061664.4 申请日期 2013.02.28
申请人 江南大学 发明人 毛健;姬中伟;张敏;牟穰;阳志锐;郭燕飞;黎卫;冯东阳;巩丹;刘芸雅
分类号 A01H4/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种霍山石斛的组织培养方法,其特征在于以带侧芽的霍山石斛茎段位母体,并经过下列步骤: A.将茎段经过水洗、75%的酒精浸泡1~2min、无菌水洗后,转移到无菌超净台上去除叶片及膜质叶鞘,再次经过0.1%HgCl<sub>2</sub>加1滴吐温80消毒5~10min后,无菌水洗后无菌保存; B.将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中,进行幼芽的诱导和增殖; C.将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上,培养温度25~28℃,光照强度2000lx,光照时间12~14h/d条件下培养; D.获得生长状况良好的培苗,将培苗取出,洗净根部的培养基,在木屑的基质中栽培,保持适当的通风和足够的湿度,获得种苗。 
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