发明名称 辐射探测器
摘要 本发明涉及一种辐射探测器(2),包括:辐射敏感半导体元件(10),其响应于辐射(3)的辐照生成电子空穴对;阳极电极(20),其被布置在所述半导体元件(10)的面向所述辐射相反方向的第一表面(11)上,所述阳极电极(20)被分割成表示阳极像素的阳极段(21),其中,阳极间隙(22)被布置在所述阳极段(21)之间;阴极电极(30),其被布置在所述半导体元件(10)的与所述第一表面(11)相对并且面向所述辐射(3)方向的第二表面(12)上,所述阴极电极(30)被分割成第一阴极段(31)和第二阴极段(32),其中,所述第一阴极段(31)基本上被布置为与所述阳极段(21)相对,并且所述第二阴极段(32)基本上被布置为与所述阳极间隙(22)相对;以及阴极端子(41、42),其提供与所述第一阴极段(31)和所述第二阴极段(32)的电连接,以将不同的电势耦合到所述第一阴极段(31)和第二阴极段(32)。通过这样的布置,能够有效减少电荷共享。
申请公布号 CN104024889A 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201280061619.2 申请日期 2012.12.12
申请人 皇家飞利浦有限公司 发明人 K·J·恩格尔;C·赫尔曼
分类号 G01T1/24(2006.01)I 主分类号 G01T1/24(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 刘瑜;王英
主权项 一种辐射探测器,包括:‑辐射敏感半导体元件(10),其响应于辐射(3)的辐照来生成电子空穴对,‑阳极电极(20),其被布置在所述半导体元件(10)的面向所述辐射相反方向的第一表面(11)上,所述阳极电极(20)被分割成表示阳极像素的阳极段(21),其中,阳极间隙(22)被布置在所述阳极段(21)之间,‑阴极电极(30),其被布置在所述半导体元件(10)的与所述第一表面(11)相对并且面向所述辐射(3)方向的第二表面(12)上,所述阴极电极(30)被分割成第一阴极段(31)和第二阴极段(32),其中,所述第一阴极段(31)基本上被布置为与所述阳极段(21)相对,并且所述第二阴极段(32)基本上被布置为与所述阳极间隙(22)相对,以及‑阴极端子(41、42),其提供与所述第一阴极段(31)和所述第二阴极段(32)的电连接,以将不同的电势耦合到所述第一阴极段(31)和所述第二阴极段(32)。
地址 荷兰艾恩德霍芬