发明名称 |
芯片及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种芯片,包含基底、形成于所述基底上的多个金属层以及过流保护系统,所述过流保护系统包括过流保护电路和连接于所述过流保护电路的检测线,并将检测线设置于多个金属层中最薄的金属层中,如此一来降低了检测线的熔断电流,能对芯片起到更好的保护作用。本发明提供的芯片的制造方法中,考虑到金属的熔断是靠金属中电流产生热量来熔断,在熔断时会引起金属周围物质的损坏,因此在最薄金属层的检测线上方开设通孔以露出检测线的表面,如此防止了熔断时可能造成的芯片损伤。 |
申请公布号 |
CN104022103A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201410260829.5 |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
任萍萍;张琼;曹荐;周洁 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种芯片,包括基底、形成于所述基底上的多个金属层以及过流保护系统,所述过流保护系统包括过流保护电路和连接于所述过流保护电路的检测线,其特征在于:所述检测线设置于所述多个金属层中最薄的金属层。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |