发明名称 在高频范围内作为电介质的微晶玻璃
摘要 本发明提供了一种如下的微晶玻璃,该微晶玻璃至少具有以下成分(以摩尔%计,基于氧化物):SiO<sub>2</sub>1~30、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0~20、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0~25、TiO<sub>2</sub>10~70、RE<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0~35、BaO5~35、SiO<sub>2</sub>+Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>&lt;25,其中RE为镧、另外的镧系元素或钇,且Ti可部分地、优选以最高达10%的比例由Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。在所述微晶玻璃中的主相为BaTi<sub>4</sub>O<sub>9</sub>或Ba<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>Ti<sub>10</sub>O<sub>27</sub>。
申请公布号 CN104024174A 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201280058023.7 申请日期 2012.11.21
申请人 肖特公开股份有限公司 发明人 马尔图·霍夫汉尼相;马丁·莱茨;戈登·基斯尔
分类号 C03C10/00(2006.01)I;C03C4/16(2006.01)I;H01B3/08(2006.01)I 主分类号 C03C10/00(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 郭国清;穆德骏
主权项 一种微晶玻璃,其至少包含以下成分(以摩尔%计,基于氧化物):<img file="FDA0000510696770000011.GIF" wi="637" he="640" />其中RE为镧、另外的镧系元素或钇,且其中Ti可以部分地、优选以最高达限定部分的10%由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。
地址 德国美因兹