发明名称 |
一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法 |
摘要 |
一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法,属于光电子信息领域,解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题,它包括以下步骤:步骤一,用化学清洗方法将石英衬底清洗干净;步骤二,在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜;步骤三,将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火;步骤四,在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极;其结构自下而上依次是:石英衬底,Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>∶ZnO=(0.5%~3%)∶(97%~99.5%)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。 |
申请公布号 |
CN101866983B |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201010173492.6 |
申请日期 |
2010.05.10 |
申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
孙建;张希清;刘凤娟;黄海琴;王永生 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法,其特征在于,包括以下几个步骤:步骤一,用化学清洗方法将石英衬底清洗干净;步骤二,在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜;步骤三,将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火;步骤四,在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极;以上步骤制作成结构自下而上依次是:石英衬底,Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极的n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器。 |
地址 |
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |