| 发明名称 |
光阻图案改良材料、形成光阻图案之方法及制造半导体装置之方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种光阻图案改良材料，包含C4~C11线性烷二醇及水。 |
| 申请公布号 |
TWI451209 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
| 申请号 |
TW100125651 |
申请日期 |
2011.07.20 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 日本 |
发明人 |
小泽美和;野崎耕司 |
| 分类号 |
G03F7/26;C07C31/20;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种光阻图案改良材料，包含：C8线性烷二醇；及水，其中以该水为100质量份计，该线性烷二醇之含量范围为0.001质量份以上。 |
| 地址 |
日本 |
