| 摘要 |
一鳍式场效电晶体(fin field effect transistor、FinFET)的制造方法,包含:形成复数的第一鳍状物以及复数的第二鳍状物突出于该基板之上,其中任两相邻之第一鳍状物系被一第一隔离区域所分隔,以及任两相邻之第二鳍状物系被一第二隔离区域所分隔。上述方法更包含对该第一隔离区施以一第一离子植入制程,其中具有一第一极性的掺质被植入该第一隔离区,且对该第二隔离区施以一第二离子植入制程,其中具有一第一极性的掺质被植入该第二隔离区,以及进行一蚀刻制程使该第一隔离区域以及该第二隔离区域凹陷。 |
