光罩毛胚及光罩之制造方法，暨半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种光罩毛胚，其可藉由提高遮光膜之乾式蚀刻速度，缩短乾式蚀刻时间，可降低光阻膜之膜损耗，可使光阻膜薄膜化而提高解像性、图案精度(CD精度)，且可形成由于乾式蚀刻时间之缩短化而获得之剖面形状良好的遮光膜图案。;本发明系一种光罩毛胚，其系于透光性基板上具有遮光膜，该光罩毛胚系乾式蚀刻处理用光罩毛胚，其对应于如下之光罩制作方法，即，以形成于遮光膜上之遮罩图案作为遮罩，藉由乾式蚀刻处理使遮光膜图案化；上述遮光膜由主要含有铬(Cr)与氮(N)之材料而构成，且由X射线绕射所得之绕射峰实质上系CrN(200)。又，上述遮光膜以铬(Cr)为基准时，于深度方向大致均匀地含有氮(N)。

主权项

一种光罩毛胚，系于透光性基板上具有设定为相对于曝光光线之光学浓度为2.5以上之积层膜者，其特征为，上述光罩毛胚系对应于下述光罩制作方法之乾式蚀刻处理用光罩毛胚：将形成于上述积层膜上之遮罩图案作为遮罩，藉由乾式蚀刻处理，将上述积层膜图案化；上述积层膜系自上述透光性基板侧具有：第1层，由含有金属、矽、氧及氮中之至少一种的材料所构成；及第2层，由主要含有铬(Cr)与氮(N)之材料所构成，且，由X射线绕射所得之绕射峰实质上系由CrN(200)构成，CrN为氮化铬。