三族氮化物半导体之制造方法

摘要

一种三族氮化物半导体制造方法，包含下列步骤：形成一第一图案化遮罩层于一磊晶基板，第一图案化遮罩层具有复数第一开口；磊晶生长一三族氮化物半导体层于该磊晶基板之上并覆盖至少部份第一图案化遮罩层；蚀刻三族氮化物半导体层以形成复数第二开口，该等第二开口系实质上至少部份对位于该等第一开口；以及再次磊晶生长三族氮化物半导体层。

主权项

一种三族氮化物半导体制造方法，包含下列步骤：形成一第一图案化遮罩层于一磊晶基板，该第一图案化遮罩层具有复数第一开口；磊晶生长一三族氮化物半导体层于该磊晶基板之上并覆盖至少部分该第一图案化遮罩层；蚀刻该三族氮化物半导体层以形成复数第二开口，该等第二开口系实质上至少部分对位于该等第一开口；以及再次磊晶生长该三族氮化物半导体层。