发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明之目的系提供一种容易制造且薄型之积层型半导体装置。本发明之特征在于包含:复数个半导体晶片1a~1h之晶片积层体1;支持体20,其积层于该晶片积层体1之最上层之半导体晶片1h上;及树脂封装30,其系以使该支持体20之一主表面20A整体露出,且包围邻接于该主表面20A之侧面20S之方式密封晶片积层体1。
申请公布号 TW201434096 申请公布日期 2014.09.01
申请号 TW102126732 申请日期 2013.07.25
申请人 东芝股份有限公司 发明人 前田竹识
分类号 H01L21/58(2006.01) 主分类号 H01L21/58(2006.01)
代理机构 代理人 <name>陈长文</name>
主权项
地址 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本