具有双倾斜场板的ＬＤＭＯＳ元件及其形成方法;LDMOS DEVICE WITH DOUBLE-SLOPED FIELD PLATE AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

在一个一般态样中,一种设备可包含:通道区域,安置于半导体基板中;闸极介电质,安置于所述通道区域上;以及漂移区域,邻近于所述通道区域安置于所述半导体基板上。所述设备可更包含:场板,具有安置于所述半导体基板的顶表面与所述闸极介电质之间的末端部分。所述末端部分可包含与所述闸极介电质接触的表面,所述表面具有沿着不平行于第二平面的第一平面对准的第一部分,所述表面的第二部分沿着所述第二平面对准,所述第一平面不平行于所述半导体基板的所述顶表面,且所述第二平面不平行于所述半导体基板的所述顶表面。