发明名称 薄膜形成方法及薄膜形成装置;THIN FILM FORMING METHOD AND THIN FILM FORMING APPARATUS
摘要 本发明旨在提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置,其中在被收纳于反应室内之被处理体形成薄膜之薄膜形成方法包含:第1步骤,将第1原料气体与第2原料气体供给至该反应室内;及第2步骤,停止供给该第1原料气体,对该反应室内供给该第2原料气体,该反应室内之压力高于该第1步骤中之压力;且交互地重复该第1步骤与该第2步骤复数次。
申请公布号 TW201433653 申请公布日期 2014.09.01
申请号 TW102145874 申请日期 2013.12.12
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 山本和弥;伊藤勇一
分类号 C23C16/455(2006.01) 主分类号 C23C16/455(2006.01)
代理机构 代理人 <name>周良谋</name><name>周良吉</name>
主权项
地址 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本