| 发明名称 |
ＣＭＰ浆料以及使用其之研磨方法 |
| 摘要 |
本发明系有关于一种CMP浆料，当其应用于氧化矽层之研磨或平坦化制程时，如研磨方法，其可降低碟化产生。;该CMP浆料包括研磨料、线型阴离子聚合物、包含磷酸基之化合物、及水，且对于氧化矽层之CMP研磨速度比上对于氮化矽层之CMP研磨速度的比率为30:1至50:1。 |
| 申请公布号 |
TWI450952 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
| 申请号 |
TW098107253 |
申请日期 |
2009.03.06 |
| 申请人 |
ＬＧ化学公司 南韩 |
发明人 |
金锺珌;曹昇范;鲁埈硕;金长烈 |
| 分类号 |
C09K3/14;C09G1/02;H01L21/304;H01L21/3105 |
主分类号 |
C09K3/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼 |
| 主权项 |
一种化学机械研磨浆料，包括：一研磨料；一线型阴离子聚合物；磷酸铵盐((NH4)2HPO4)；及水，其中，对于氧化矽层之化学机械研磨速度比上对于氮化矽层之化学机械研磨速度的比率为30：1至50：1，其中，每100重量份之该研磨料中，该线型阴离子聚合物所占含量为0.1至40重量份，而每100重量份之该研磨料中，该磷酸铵盐((NH4)2HPO4)所占含量为0.1至20重量份。 |
| 地址 |
南韩 |
