离子布值方法及半导体元件之制造方法

摘要

一种制造半导体元件之方法包含：形成一遮罩图案，以露出半导体基板之区域。以约4.4度到7度之倾斜角度布植掺杂离子至半导体基板之露出区域中。

主权项

一种布植离子之方法，此方法包含：形成一遮罩图案，以露出半导体基板之区域；及以约4.4度到6.9度之倾斜角度布植掺杂离子至该半导体基板之露出区域中。