| 摘要 |
提供一种基于IR之测量的方法用以侦测在半导体装置之TSV周围的应力及/或缺陷。具体言之,在一典型具体实施例中,IR光束会由IR光源射出穿过在TSV周围的材料。一旦该IR光束穿过在该TSV周围的材料,用一或更多演算法分析该光束以确定有TSV应力及/或缺陷(例如,嵌入裂痕等等)有关的资讯。在一具体实施例中,该IR光束可分成第一部份与第二部份。该第一部份会穿过在TSV周围的材料同时该第二部份绕过该TSV。在该第一部份穿过该TSV周围之该材料后,这两个部份随后可再结合,以及如上述,可分析所得光束。 |
