发明名称 |
铜-镍-矽系铜合金 |
摘要 |
本发明提供一种强度、导电率及弯曲变形系数均优异之铜-镍-矽系铜合金。本发明之铜-镍-矽系铜合金以质量%计含有Ni:1.2~4.5%、Si:0.25~1.0%,其余部分由Cu及不可避免之杂质构成,且于将来自压延面中之{111}面之X射线绕射强度设为I{111},将纯铜粉末标准试样中之{111}面之X射线绕射强度设为I0{111}时,I{111}/I0{111}为0.15以上,于将来自压延面中之{200}面之X射线绕射强度设为I{200},将纯铜粉末标准试样中之{200}面之X射线绕射强度设为I0{200}时,I{200}/I0{200}为0.5以下,于将来自压延面中之{220}面之X射线绕射强度设为I{220},将来自{311}面之X射线绕射强度设为I{311}时,I{111}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})为0.2以上,压延直角方向之弯曲变形系数为130 GPa以上,压延直角方向之降伏强度YS(Yield Strength)满足下式:YS≧-22×(Ni质量%)2+215×(Ni质量%)+422,压延直角方向之导电率为30%IACS以上。 |
申请公布号 |
TWI450987 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
申请号 |
TW102105971 |
申请日期 |
2013.02.21 |
申请人 |
JX日鑛日石金属股份有限公司 日本 |
发明人 |
桑垣宽 |
分类号 |
C22C9/06;C22F1/08 |
主分类号 |
C22C9/06 |
代理机构 |
|
代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种铜-镍-矽系铜合金,其以质量%计含有Ni:1.2~4.5%、Si:0.25~1.0%,其余部分由Cu及不可避免之杂质构成,且于将来自压延面中之{111}面之X射线绕射强度设为I{111},将纯铜粉末标准试样中之{111}面之X射线绕射强度设为I0{111}时,I{111}/I0{111}为0.15以上,于将来自压延面中之{200}面之X射线绕射强度设为I{200},将纯铜粉末标准试样中之{200}面之X射线绕射强度设为I0{200}时,I{200}/I0{200}为0.5以下,于将来自压延面中之{220}面之X射线绕射强度设为I{220},将来自{311}面之X射线绕射强度设为I{311}时,I{111}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})为0.2以上,压延直角方向之弯曲变形系数为130 GPa以上,压延直角方向之降伏强度YS满足下式:YS≧-22×(Ni质量%)2+215×(Ni质量%)+422,且压延直角方向之导电率为30%IACS以上。 |
地址 |
日本 |